晶圆加热板 300A 型

300A 型晶圆热板，用于在室温至 300 °C 的真空条件下处理高达 8 英寸的晶圆

主要特征

• [生产时间3~5天包邮，顺丰包邮3~4天]
• [交货时间快；支持定做。]

• [在深圳设计、组装和测试]

• [用于半导体或 MEMS 中的晶圆烘烤工艺]包括直径为 1、2、3、4、6、8 英寸的硅晶圆上的光刻胶的硬烘烤和曝光后烘烤
• [热板上的真空保持晶圆]晶圆和热板之间的直接热接触提供精确的实时温度控制和更短的烘烤时间 60 ~ 120 秒（与空气对流烤箱中的典型 30 分钟相比）
• [温度控制]整个晶圆的温度均匀，变化很小，为 0.63%；~ 0.5 °C 的时变和读数误差 = 全读数的 1 %
• [交货时连接到交流电源线即可使用]包括用于固定晶圆的内部真空泵、13 A 电源线、SS 带帽螺钉和快速入门指南

• 描述

• 该热板专门用于处于研发或试验阶段的半导体晶圆工艺。在光学图案化之前涂覆和烘烤光致抗蚀剂层。对于晶圆烘烤，溶剂被蒸发，聚合物层获得化学连接并机械硬化。这种热板模型涵盖了广泛的温度范围（硅晶片上的室温 ~ 300 °C）。
• 为了保证整个晶圆的均匀加热，在硅晶圆上用表面温度计在8英寸晶圆上的9个不同点测量表面温度。
• 该设备有一个低噪音的内部真空泵。连续运行的预期使用寿命 > 5000 小时。由于该设备使用无刷电机，频繁打开/关闭电机不会缩短使用寿命。此外，还提供一个 1/4 英寸外径的管连接器，用于使用外部真空管线（如果需要）。内部/外部真空管路可以通过前面的拨动开关进行选择。

• 为了适应不同尺寸的晶圆，可以将不锈钢 (SS) 带帽螺钉拧入加热板上的真空环孔中。为了允许正确真空保持晶圆，所有未被晶圆覆盖的孔都需要用螺钉密封。该设备可处理直径为 1、2、3、4、6 和 8 英寸的晶圆。
• 可以将 2 个 SS 带帽螺钉安装到刚好位于加载晶圆边缘外侧的 2 个孔中，以便用镊子安全地加载晶圆（将晶圆加载到板上时用镊子夹住晶圆的一侧）。

• 我们在包装和运输前测试每台设备。即使存在小的外观缺陷点（例如，顶部表面的轻微接触），该设备仍能保持完整的功能。
• 如果在较高温度下持续使用，顶面可能会逐渐变色（白色到灰色）而不会降低功能。

• 技术说明

• 晶圆表面温度是在整个硅晶圆上的 9 个点上测量的。
• 整个晶圆的热均匀性 CV（西格玛/平均值）优于 0.63%。
• 温度波动缓慢 > 10 分钟且小于设定值 (SV) 温度的 0.5%。
• 控制器具有PID（比例/积分/微分）控制的自动调整（AT）功能。
• 在初始安装和/或不同的环境之后可能需要 AT，以实现更稳定和更严格的控制。
• 每个热板都有 PID 控制的出厂设置，这在大多数情况下都很好，并且是 AT 的起点，以防万一。
• 该型号用于固定温度操作。

• 安全特性

• 警报蜂鸣器（90 分贝，连续）在正面。默认情况下，如果板的温度（控制器显示屏上的 PV）> 320 °C，则会触发警报。可以在控制器上修改警报设置。
• 默认情况下，当控制箱温度高于 50°C 时，控制箱将关闭板加热电源线。一旦板被空气冷却到 30 °C，恒温器将自动重置。

• 主电源线、真空泵和固态继电器的安全保险丝就位。

• 规格

物理尺寸
全身（长 x 宽 x 高）：10.24 英寸 x 10.24 英寸 x 6 英寸（260 x 260 x 150 毫米）。
加热板尺寸（长 x 宽）：9 英寸 x 9 英寸（228.6 x 228.6 毫米）。
重量：10 磅（~4.5 千克）。

实用要求
100 - 120 V，13 A ，带NEMA 5-15P（美标 3 插头）插座。加热功率：~ 1200 瓦，120 伏  

外部真空管线：
10 英寸 Hg 基本真空和在 0 英寸 Hg 时 >= 5 升/分钟的流速
Push-to-Connect 连接器适应（1/4 英寸）真空管线的外径塑料管。

环境条件
操作条件：
仅限室内使用。
温度：5 至 40°C（41 至 104°F）
湿度：20% 至 80% 相对湿度，
海拔高度：海拔 0 至 6,562 英尺（2000 米）

非工作存储：
温度：-20 至 65°C（-4 至 149°F）
湿度：20% 至 80% 相对湿度